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IR推出具有超低导通电阻的60VMOSFET以满足工业应用需求万芳

发布时间:2020-02-14 11:32:07 阅读: 来源:离心机厂家

IR推出具有超低导通电阻的60V MOSFET以满足工业应用需求

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试,能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。新器件提供插入式封装和表面贴装D2-PAK封装选择。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR的 60V StrongIRFET器件系列具有超低导通电阻,而且完全通过严格的行业级雪崩测试,以确保产品坚固耐用。新器件提供具有基准性能的MOSFET,针对工业市场需求进行了优化。”

规格

采用插入式封装的60V StrongIRFET

器件编号BVDSS25°C下的IDVGS为10V时的最大导通电阻VGS为10V时的栅极电荷封装IRFB753060V195A2274TO-220IRFP7530TO-247IRFB75342.4186TO-220IRFB75373.3142TO-220IRFP7537TO-247IRFB7540110A5.188TO-220IRFB754585A5.975IRFB754658A7.358

采用表面贴装D2-PAK封装的60V StrongIRFET

器件编号BVDSS25°C下的IDVGS为10V时的最大导通电阻VGS为10V时的栅极电荷封装IRFS7530-7P60V240A1.4236D2-PAK-7IRFS7534-7P1.9200IRFS7530195A2274D2-PAKIRFS75342.4180IRFS75373.3142IRFS7540110A5.188

新产品现正接受批量订单。相关数据及Spice模型,请浏览IR的网站http://www.irf.com。

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